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MMRF1314HR5 ist ein von NXP hergestellter HF-Leistungstransistor, der speziell für Hochleistungs-HF-Anwendungen entwickelt wurde.

Grundparameter

• Art der Ware: RF-MOSFET-Transistoren (Radiofrequenz-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistoren)
• Hersteller: NXP
• Polarität: N-Kanal
• Paket: SOT1787
• Technologie: LDMOS (lateral diffusierte Metalloxid Halbleiter)

Elektrische Parameter

• Betriebsfrequenz: 1200 bis 1400 MHz
• Ausgangsleistung: 1000 W (Spitze)
• Typischer Gewinn (dB): 15,5 dB @ 1200 MHz (Spezifische Verstärkung kann je nach Frequenz variieren)
• Ausfallspannung der Abflussquelle (Vds): Nicht direkt spezifiziert, aber LDMOS-Transistoren haben im Allgemeinen hohe Abbruchspannungen
• Kontinuierlicher Abflussstrom (Id): nicht direkt spezifiziert, sondern durch die Anforderungen an die Anwendung und Konstruktion bestimmt
• Schnittstellen und Schnittstellen: -6 V bis +10 V (Bereich zur Steuerung der Torspannung)
• Leistungsausfall (Pd): Nicht direkt spezifiziert, erfordert jedoch eine gute Wärmeabbau-Konstruktion für Hochleistungsanwendungen

Betriebstemperatur

• Höchstbetriebstemperatur: +150°C
• Mindestbetriebstemperatur: -40°C

Anwendungsmerkmale

• Breitbandbetrieb: Interne Eingabe- und Ausgabeübereinstimmung für einen komfortablen Breitbandbetrieb und -verbrauch
• Flexibilität der Konfiguration: Kann in Ein-End-, Schub-Zug- oder Quadraturkonfigurationen verwendet werden
• Hohe Robustheit: geeignet für Anwendungen mit Puls, besonders hervorragend für militärische und kommerzielle Hochleistungs-L-Band-Radaranwendungen

Zusätzliche Informationen

• Paket/Fall: SMD/SMT-Verpackungen (Surface-Mount-Device/Surface-Mount-Technology), geeignet für die Oberflächenmontagetechnologie
• Verpackungsmenge: üblicherweise in bestimmten Mengen (z. B. 50 Stück) pro Einheit verpackt