H5AN8G6NDJR-XNC

H5AN8G6NDJR-XNC ist ein von SK hynix hergestellter DDR4 Dynamic Random Access Memory (DRAM) Chip.

Speicherkapazität:

• Kapazität: 8 GB (d. h. 1 GB), erreicht durch die 512Mx16-Architektur.

Technische Spezifikationen

• Typ: DDR4 SDRAM
• Geschwindigkeit: Abhängig von den Quellen können die Geschwindigkeiten variieren, unterstützt aber im Allgemeinen eine Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung.Bitte beachten Sie jedoch, dass sich die spezifischen Geschwindigkeiten aufgrund von Produktchargen oder Anwendungsumgebungen unterscheiden können..
• Betriebsspannung: 1,2 V

Verpackungsform:

• Paket: Fein-Pitch Ball Grid Array (FBGA), speziell ein 96-Ball FBGA-Paket.

Temperaturbereich:

• Betriebstemperatur: Je nach Quelle kann der Temperaturbereich leicht variieren.Andere behaupten, dass die Temperaturen von 0°C bis +95°C liegen.Dies bedeutet, daß es in einem breiten Bereich von Umgebungstemperaturen stabil arbeiten kann.

Umweltmerkmale:

• Er entspricht den Normen RoHS (Restriction of Hazardous Substances), was darauf hindeutet, dass er die Verwendung schädlicher Stoffe während der Produktion reduziert und den Umweltanforderungen entspricht.

Andere Parameter:

• Losnummer: Abhängig von der Marktverfügbarkeit können die Losnummern variieren.
• Hersteller: SK hynix

Bitte beachten Sie, dass sich die obigen Parameter aufgrund von Produktchargen, Marktverfügbarkeit oder spezifischen Anwendungsumgebungen ändern können.Es wird empfohlen, sich direkt mit SK hynix oder mit den entsprechenden Lieferanten zu beraten..

Darüber hinaus wird die Leistung von DDR4-DRAM-Chips durch andere Faktoren wie Timing-Parameter (z. B. CAS-Latenz, RAS-zu-CAS-Verzögerung), Stromverbrauchsmerkmale (z. B.BetriebsleistungDiese Faktoren werden im Datenblatt oder in den technischen Spezifikationen des Chips näher beschrieben.