MT41K256M16TW-107:P Dynamischer Random Access-Speicher 4Gbit Skalierbarkeit

Der MT41K256M16TW-107:P ist ein von Micron produzierter DRAM-Chip (Dynamic Random Access Memory), der zur DDR3L-Familie (Low Voltage DDR3) gehört.

Grundparameter

• Speicherkapazität: 4Gbit (d. h. 256M x 16bit)
• Datenbreite: 16-Bit
• Art der Packung: FBGA-96 (Fine-Pitch Ball Grid Array mit 96 Pins)
• Spannungsbereich: 1,283V bis 1,45V (konform mit dem Niederspannungsbereich der DDR3L-Norm)

Leistungsparameter

• Uhrfrequenz: Bis zu 933 MHz (obwohl die tatsächliche Betriebsfrequenz je nach Systemkonstruktion und Anwendungsanforderungen variieren kann)
• Zugriffszeit: Typischerweise bezogen auf die Betriebsfrequenz, jedoch erwähnen einige Referenzen eine Zugriffszeit von 20 ns (möglicherweise ein Prüfwert unter bestimmten Bedingungen)
• Betriebstemperaturbereich: im allgemeinen zwischen 0 °C und 95 °C, wobei die Mindestbetriebstemperaturen je nach verschiedenen Quellen bis zu -40 °C liegen können

Funktionsmerkmale

• Rückwärtsverträglichkeit: Unterstützt den Betrieb bei 1,5 V für die Kompatibilität mit DDR3-Geräten
• Differentielle bidirektionale Datenstraße: Ermöglicht eine Differenzsignalisierung für eine verbesserte Signalstabilität und Geräuschdichtigkeit
• 8n-Prefetch-Architektur: Verbesserung der Effizienz der Datenübertragung
• Differentielle Uhreneingänge (CK, CK#): Verwendet Differenz-Uhrsignale zur Verringerung von Uhrverschiebungen und Geräuschen
• Programmierbare CAS-Latenz (CL), Additive Latenz (AL) und CAS-Schreiblatenz (CWL): Bietet flexible Latenz-Einstellungen für verschiedene Leistungsbedürfnisse
• Selbsterfrischungsmodus: Ermöglicht die automatische Aktualisierung von Speicherdaten während Leerlaufzeiten, um Datenverlust zu vermeiden

Zusätzliche Informationen

• RoHS-konform: Erfüllt die RoHS-Norm (Restriction of Hazardous Substances), was es zu einem umweltfreundlichen Produkt macht
• Montageart: Oberflächenbauvorrichtung (SMD/SMT), geeignet für die Miniaturisierung und Integration moderner elektronischer Geräte