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R1RW0416DSB-2PI#D1

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: R1RW0416D-I - Weite Temperatur R
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R1RW0416DSB-2PI#D1

Beschreibung
Kategorie: Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis Produktstatus: Aktiv
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Paket: Schüttgut
Reihe: R1RW0416DI Speicheroberfläche: Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: 12ns Lieferanten-Gerätepaket: 44-TSOP II
Speichertypen: Flüchtig Mfr: RENESAS
Speichergröße: 4Mbit Spannung - Versorgung: 3V bis 3,6V
Packung / Gehäuse: 44-TSOP (0,400", 10.16mm Breite) Gedächtnisorganisation: 256K x 16
Betriebstemperatur: -40 °C bis 85 °C (TA) Technologie: SRAM - Asynchron
Zugriffszeit: 12 ns Speicherformat: SRAM

SRAM - Asynchrone Speicher-IC 4Mbit Parallel 12 ns 44-TSOP II

Größe und Tag:

IC-Speicherchip,

Speicher-IC-Chip,

Gedächtnisprüfer IC

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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