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71V424S10YG

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: 71V424 - 4 MEG (512K X 8-BIT) 3.
Kontakt

71V424S10YG

Beschreibung
Kategorie: Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis Produktstatus: Aktiv
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Paket: Schüttgut
Reihe: - DigiKey Programmierbar: Nicht bestätigt
Speicheroberfläche: Parallel Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Lieferanten-Gerätepaket: 36-SOJ Speichertypen: Flüchtig
Mfr: IDT, Integrated Device Technology Inc. Speichergröße: 4Mbit
Spannung - Versorgung: 3V bis 3,6V Zugriffszeit: 10 ns
Packung / Gehäuse: 36-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite) Gedächtnisorganisation: 512K x 8
Betriebstemperatur: 0°C bis 70°C (TA) Technologie: SRAM - Asynchron
Basisproduktnummer: 71V424 Speicherformat: SRAM

SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 10 ns 36-SOJ

Größe und Tag:

IC-Speicherchip,

Speicher-IC-Chip,

Gedächtnisprüfer IC

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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