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HYB25L512160AC-7.5 Rollen

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Großes Bild :  HYB25L512160AC-7.5 Rollen

Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
Kontakt

HYB25L512160AC-7.5 Rollen

Beschreibung
Kategorie: Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis Speichergröße: 512 Mbit
Produktstatus: Aktiv Typ der Montage: Oberflächenbefestigung
Paket: Schüttgut Reihe: -
DigiKey Programmierbar: Nicht bestätigt Speicheroberfläche: Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: 14ns Lieferanten-Gerätepaket: Einheit für die Bereitstellung der erforderlichen Daten.
Speichertypen: Flüchtig Mfr: Infineon Technologies
Uhrfrequenz: 133 MHz Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 3.6V
Packung / Gehäuse: 54-LFBGA Gedächtnisorganisation: 32 M x 16
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TC) Technologie: SDRAM - Bewegliches LPDDR
Zugriffszeit: 6 ns Speicherformat: DRAM

SDRAM - Mobile LPDDR-Speicher IC 512 Mbit Parallel 133 MHz 6 ns 54-FBGA (8x12)

Größe und Tag:

IC-Speicherchip,

Speicher-IC-Chip,

Gedächtnisprüfer IC

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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