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71V25761Y5S200PFG

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Großes Bild :  71V25761Y5S200PFG

Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: IC SRAM 4,5 MBIT PAR 100TQFP
Kontakt

71V25761Y5S200PFG

Beschreibung
Kategorie: Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis Speichergröße: 4.5Mbit
Produktstatus: Aktiv Typ der Montage: Oberflächenbefestigung
Paket: Schüttgut Reihe: -
DigiKey Programmierbar: Nicht bestätigt Speicheroberfläche: Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: - Lieferanten-Gerätepaket: 100-TQFP (14x20)
Speichertypen: Flüchtig Mfr: IDT, Integrated Device Technology Inc.
Uhrfrequenz: 200 MHz Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Zugriffszeit: 3.1 ns Packung / Gehäuse: 100-LQFP
Gedächtnisorganisation: 128K x 36 Betriebstemperatur: 0°C bis 70°C (TA)
Technologie: SRAM - Synchron, SDR Basisproduktnummer: 71V25761
Speicherformat: SRAM

SRAM - Synchrones, SDR-Speicher IC 4,5 Mbit Parallel 200 MHz 3,1 ns 100-TQFP (14x20)

Größe und Tag:

IC-Speicherchip,

Speicher-IC-Chip,

Gedächtnisprüfer IC

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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