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CY7C1021B-12VI

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CY7C1021B-12VI

Großes Bild :  CY7C1021B-12VI

Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
Kontakt

CY7C1021B-12VI

Beschreibung
Kategorie: Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis Produktstatus: Aktiv
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Paket: Schüttgut
Reihe: - DigiKey Programmierbar: Nicht bestätigt
Speicheroberfläche: Parallel Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Lieferanten-Gerätepaket: 44-SOJ Speichertypen: Flüchtig
Mfr: Cypress Semiconductor Corp Speichergröße: 1Mbit
Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Zugriffszeit: 12 ns
Packung / Gehäuse: 44-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite) Gedächtnisorganisation: 64K x 16
Betriebstemperatur: -40 °C bis 85 °C (TA) Technologie: SRAM - Asynchron
Basisproduktnummer: CY7C1021 Speicherformat: SRAM

SRAM - Asynchrone Speicher IC 1Mbit Parallel 12 ns 44-SOJ

Größe und Tag:

IC-Speicherchip,

Speicher-IC-Chip,

Gedächtnisprüfer IC

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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