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JANS1N6641

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Großes Bild :  JANS1N6641

Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: Diode GEN PURP 100V 300MA DO35

JANS1N6641

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden Produktstatus: Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100 nA @ 50 V Typ der Montage: Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: 1.1 V @ 200 mA Paket: Schüttgut
Reihe: Militär, MIL-PRF-19500/609 Kapazität @ Vr, F: -
Lieferanten-Gerätepaket: mit einer Breite von mehr als 20 mm, Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): 5 ns
Mfr: Mikrochiptechnik Technologie: Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung: -65°C ~ 175°C Packung / Gehäuse: DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): 100 V Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): 300 mA
Geschwindigkeit: Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)

Diode 100 V 300 mA durch das Loch DO-35 (DO-204AH)

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

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