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Beschreibung: HF-Kleinsignaltransistor

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Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 100 mA
Produktstatus: Veraltet Transistortyp: 2 NPN (Doppel)
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Häufigkeit - Übergang: 6.5 GHz
Paket: Schüttgut Reihe: -
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 5.5V Lieferanten-Gerätepaket: 6-Super-Blei-freies Mini-Mold
Mfr: Renesas Electronics America Inc. ist ein Unternehmen der Geräuschwerte (dB Typ @ f): 1.9 dB ~ 2.5 dB @ 2 GHz
Leistung - Max.: 130 mW Gewinn: -
Packung / Gehäuse: 6-SMD, flache Leitungen Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V

HF-Transistor 2 NPN (Dual) 5,5 V 100mA 6,5 GHz 130 mW Oberflächenmontage 6-Superbleifreier MiniMold

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

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