BFP640E6327

Name: BFP640E6327
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

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Beschreibung:	HF-Bipolärtransistor

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Beschreibung

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren	Strom - Kollektor (Ic) (maximal):	50 mA
Produktstatus:	Aktiv	Transistortyp:	NPN
Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung	Häufigkeit - Übergang:	40 GHz
Paket:	Schüttgut	Reihe:	-
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):	4.5V	Lieferanten-Gerätepaket:	Der Begriff "Fertigung" wird in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 eingeführt.
Mfr:	Infineon Technologies	Geräuschwerte (dB Typ @ f):	0.65 dB ~ 1.2 dB @ 1.8 GHz ~ 6 GHz
Leistung - Max.:	200mw	Gewinn:	24 dB
Packung / Gehäuse:	SC-82A, SOT-343	Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	110 @ 30mA, 3V