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BFP740E6327

BFP740E6327
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Großes Bild :  BFP740E6327

Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: HF-Transistor, X-Band, NPN

BFP740E6327

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 30 mA
Produktstatus: Aktiv Transistortyp: NPN
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Häufigkeit - Übergang: 42 GHz
Paket: Schüttgut Reihe: -
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 4.7V Lieferanten-Gerätepaket: Der Begriff "Fertigung" wird in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 eingeführt.
Mfr: Infineon Technologies Geräuschwerte (dB Typ @ f): 0.5 dB ~ 0.85 dB @ 1.8 GHz ~ 6 GHz
Leistung - Max.: 160mw Gewinn: 27dB
Packung / Gehäuse: SC-82A, SOT-343 Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V

HF-Transistor NPN 4,7V 30mA 42GHz 160mW Oberflächenbefestigung PG-SOT343-4

Kontaktdaten
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Ansprechpartner: Miss. Coral

Telefon: +86 15211040646

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