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BCM857BV,315

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Großes Bild :  BCM857BV,315

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Beschreibung: Jetzt NEXPERIA BCM857BV - SMALL SI

BCM857BV,315

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 100 mA
Produktstatus: Aktiv Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Häufigkeit - Übergang: 175 MHz
Paket: Schüttgut Reihe: -
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 45 V
Lieferanten-Gerätepaket: SOT-666 Mfr: NXP USA Inc.
Strom - Sammlergrenze (maximal): 15nA (ICBO) Leistung - Max.: 300 mW
Packung / Gehäuse: Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln: Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Basisproduktnummer: BCM857

Bipolarer (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 45V 100mA 175MHz 300mW Oberflächenaufbau SOT-666

Kontaktdaten
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Ansprechpartner: Miss. Coral

Telefon: +86 15211040646

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