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PMP5501G,115

PMP5501G,115
PMP5501G,115

Großes Bild :  PMP5501G,115

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Beschreibung: mit einer Breite von mehr als 20 mm,

PMP5501G,115

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 100 mA
Produktstatus: Aktiv Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair, gemeinsamer Emittent
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Häufigkeit - Übergang: 175 MHz
Paket: Schüttgut Reihe: -
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 45 V
Lieferanten-Gerätepaket: SOT-353 Mfr: NXP USA Inc.
Strom - Sammlergrenze (maximal): 15nA (ICBO) Leistung - Max.: 300 mW
Packung / Gehäuse: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Basisproduktnummer: PMP5501

Bipolarer (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, gemeinsamer Emitter 45V 100mA 175MHz 300mW Oberflächenaufbau SOT-353

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

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