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PEMH4.115

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Beschreibung: Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsspi
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PEMH4.115

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistor-Arrays, vorgebildet Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 100 mA
Produktstatus: Nicht für neue Designs Transistortyp: 2 NPN - Vorverzerrt (Dual)
Häufigkeit - Übergang: - Typ der Montage: Oberflächenbefestigung
Paket: Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel® Reihe: -
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500μA, 10mA Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 50 V
Lieferanten-Gerätepaket: SOT-666 Widerstand - Basis (R1): 10 kOhm
Mfr: Nexperia USA Inc. Widerstand - Emitterbasis (R2): -
Strom - Sammlergrenze (maximal): 1µA Leistung - Max.: 300 mW
Packung / Gehäuse: Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Informationen zu übermitteln: Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Basisproduktnummer: PEMH4

Bipolartransistor (BJT) 2 NPN - Bipolartransistor (Dual) 50V 100mA 300mW Oberflächenbefestigung SOT-666

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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