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BCR185E6327

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: BIPOLAREN digitalen Transistoren
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BCR185E6327

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 100 MA
Produktstatus: Aktiv Transistortyp: PNP - Vorabverzerrt
Häufigkeit - Übergang: 200 MHz Typ der Montage: Oberflächenbefestigung
Paket: Schüttgut Reihe: Automobilindustrie, AEC-Q101
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 50 V
Lieferanten-Gerätepaket: PG-SOT23-3-1 Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
Mfr: Infineon Technologies Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal): 100nA (ICBO) Leistung - Max.: 200 mW
Packung / Gehäuse: Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer: BCR185

Bipolartransistor (BJT) PNP - 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW mit vorgebildeter Oberflächenaufstellung PG-SOT23-3-1

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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