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PDTD113ZQA147

PDTD113ZQA147
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Großes Bild :  PDTD113ZQA147

Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: 50 V, 500 MA NPN-Widerstandsausrüstung

PDTD113ZQA147

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore Reihe: *
Mfr: NXP USA Inc. Produktstatus: Aktiv
Paket: Schüttgut

Vorgebildeter bipolarer Transistor (BJT)

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

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