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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: DIGITAL TR SOT-23 50 V 100 MA
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Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 100 MA
Produktstatus: Aktiv Transistortyp: NPN - Vor-voreingenommen
Häufigkeit - Übergang: 250 MHz Typ der Montage: Oberflächenbefestigung
Paket: Streifen Reihe: -
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 50 V
Lieferanten-Gerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Widerstand - Basis (R1): 2,2 kOhms
Mfr: Diotec Halbleiter Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal): 500nA Leistung - Max.: 200 mW
Packung / Gehäuse: Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 bei 10 mA, 5 V
Basisproduktnummer: Die Daten sind in der Liste aufgeführt.

Bipolartransistor (BJT) NPN - vorgebildeter 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Oberflächenhalter SOT-23-3 (TO-236)

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

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Ansprechpartner: Miss. Coral

Telefon: +86 15211040646

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