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| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore | Strom - Kollektor (Ic) (maximal): | 100 MA |
|---|---|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv | Transistortyp: | PNP - Vorabverzerrt |
| Häufigkeit - Übergang: | 250 MHz | Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Paket: | Band und Rolle (TR) | Reihe: | DTA123YCA-HF |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA | Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): | 50 V |
| Lieferanten-Gerätepaket: | SOT-23-3 | Widerstand - Basis (R1): | 2,2 kOhms |
| Mfr: | Comchip-Technologie | Widerstand - Emitterbasis (R2): | 10 kOhms |
| Strom - Sammlergrenze (maximal): | 500nA | Leistung - Max.: | 200 mW |
| Packung / Gehäuse: | Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: | Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 33 bei 10 mA, 5 V |
| Basisproduktnummer: | DTA123 |
Bipolartransistor (BJT) PNP - 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW mit vorgebildeter Oberflächenaufstellung SOT-23-3
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