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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: Der Wert der Verbrennung wird durch die Verbrennung von elektrischen Geräten ermittelt.
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Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgebildeten bipolaren Transistore Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 30 mA
Produktstatus: Aktiv Transistortyp: NPN - Vor-voreingenommen
Häufigkeit - Übergang: 250 MHz Typ der Montage: Oberflächenbefestigung
Paket: Band und Rolle (TR) Reihe: -
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 50 V
Lieferanten-Gerätepaket: SOT-523 Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms
Mfr: Diotec Halbleiter Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal): 500nA (ICBO) Leistung - Max.: 150 mW
Packung / Gehäuse: SOT-523 Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Basisproduktnummer: Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 enthalten.

Bipolartransistor (BJT) NPN - vorgebildeter 50 V 30 mA 250 MHz 150 mW Oberflächenhalter SOT-523

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
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Ansprechpartner: Miss. Coral

Telefon: +86 15211040646

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