Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET | Fet-Eigenschaft: | - |
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Vgs(th) (Max) @ Id: | 2V @ 55μA | Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Packung / Gehäuse: | Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben. | Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: | 46.2 nC @ 10 V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.1mOhm @ 36A, 10V | FET-Typ: | N-Kanal |
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): | 4.5V, 10V | Paket: | Band und Rolle (TR) |
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): | 30 V | Vgs (maximal): | ± 20V |
Produktstatus: | Veraltet | Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1710 pF @ 25 V |
Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung | Reihe: | OptiMOS™ |
Lieferanten-Gerätepaket: | PG-TO263-3-2 | Mfr: | Infineon Technologies |
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: | 73A (Tc) | Verlustleistung (maximal): | 107W (Tc) |
Technologie: | MOSFET (Metalloxid) | Basisproduktnummer: | SPB73N |
N-Kanal 30 V 73A (Tc) 107W (Tc) Oberflächenbefestigung PG-TO263-3-2
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