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IPD09N03LA G

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Großes Bild :  IPD09N03LA G

Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Kontakt

IPD09N03LA G

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Fet-Eigenschaft: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V FET-Typ: N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 4.5V, 10V Paket: Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 25 V Vgs (maximal): ± 20V
Produktstatus: Veraltet Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Reihe: OptiMOS™
Lieferanten-Gerätepaket: PG-TO252-3-11 Mfr: Infineon Technologies
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Verlustleistung (maximal): 63W (Tc)
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Basisproduktnummer: OPD09N

N-Kanal 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Oberflächenbefestigung PG-TO252-3-11

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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