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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

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Großes Bild :  Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

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Beschreibung: MOSFET N-CH 560V 3.2A TO252-3

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Fet-Eigenschaft: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135μA Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V FET-Typ: N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 10 V Paket: Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 560 V Vgs (maximal): ± 20V
Produktstatus: Veraltet Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Reihe: CoolMOS™
Lieferanten-Gerätepaket: PG-TO252-3-11 Mfr: Infineon Technologies
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Verlustleistung (maximal): 38W (Tc)
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Basisproduktnummer: Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

N-Kanal 560 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Oberflächenaufbau PG-TO252-3-11

Kontaktdaten
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Ansprechpartner: Miss. Coral

Telefon: +86 15211040646

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