Name: Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.

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Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

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Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen.

Beschreibung

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET	Fet-Eigenschaft:	-
Vgs(th) (Max) @ Id:	2V @ 110μA	Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse:	Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.	Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:	89.7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	4.9mOhm @ 55A, 10V	FET-Typ:	N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):	4.5V, 10V	Paket:	Band und Rolle (TR)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	30 V	Vgs (maximal):	± 20V
Produktstatus:	Veraltet	Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	3320 pF @ 25 V
Typ der Montage:	Oberflächenbefestigung	Reihe:	OptiMOS™
Lieferanten-Gerätepaket:	PG-TO263-3-2	Mfr:	Infineon Technologies
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:	80A (Tc)	Verlustleistung (maximal):	167W (Tc)
Technologie:	MOSFET (Metalloxid)	Basisproduktnummer:	SPB80N