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SPB21N10

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
Kontakt

SPB21N10

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Fet-Eigenschaft: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44μA Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse: Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben. Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V FET-Typ: N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 10 V Paket: Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 100 V Vgs (maximal): ± 20V
Produktstatus: Veraltet Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 25 V
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Reihe: SIPMOS®
Lieferanten-Gerätepaket: PG-TO263-3-2 Mfr: Infineon Technologies
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Verlustleistung (maximal): 90W (TC)
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Basisproduktnummer: SPB21N

N-Kanal 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Oberflächenhalter PG-TO263-3-2

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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