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BSP316PE6327

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Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4

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Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Produktstatus: Veraltet Typ der Montage: Oberflächenbefestigung
Paket: Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Reihe: SIPMOS® Vgs (maximal): ± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170μA Lieferanten-Gerätepaket: PG-SOT223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V Mfr: Infineon Technologies
Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ) FET-Typ: P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 4.5V, 10V Verlustleistung (maximal): 1.8W (Ta)
Packung / Gehäuse: Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 100 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Fet-Eigenschaft: -

P-Kanal 100 V 680mA (Ta) 1,8 W (Ta) Oberflächenbefestigung PG-SOT223-4

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

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