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BSS670S2L

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Großes Bild :  BSS670S2L

Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Kontakt

BSS670S2L

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Produktstatus: Veraltet Typ der Montage: Oberflächenbefestigung
Paket: Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Reihe: OptiMOS™ Vgs (maximal): ± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2,7μA Lieferanten-Gerätepaket: PG-SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270 mA, 10 V Mfr: Infineon Technologies
Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ) FET-Typ: N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 4.5V, 10V Verlustleistung (maximal): 360mW (Ta)
Packung / Gehäuse: Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 55 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Fet-Eigenschaft: -

N-Kanal 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenanlage PG-SOT23

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Ansprechpartner: Miss. Coral

Telefon: +86 15211040646

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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