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BSP317PE6327

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
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BSP317PE6327

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Fet-Eigenschaft: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370μA Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse: Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 au Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 430 mA, 10 V FET-Typ: P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 4.5V, 10V Paket: Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 250 V Vgs (maximal): ± 20V
Produktstatus: Veraltet Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Reihe: SIPMOS®
Lieferanten-Gerätepaket: PG-SOT223-4 Mfr: Infineon Technologies
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Verlustleistung (maximal): 1.8W (Ta)
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Basisproduktnummer: BSP317

P-Kanal 250 V 430mA (Ta) 1,8 W (Ta) Oberflächenhalter PG-SOT223-4

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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