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SPP04N60C3HKSA1

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220-3
Kontakt

SPP04N60C3HKSA1

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Fet-Eigenschaft: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200μA Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse: TO-220-3 Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2,8A, 10V FET-Typ: N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 10 V Paket: Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 650 V Vgs (maximal): ± 20V
Produktstatus: Veraltet Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Typ der Montage: Durchs Loch Reihe: CoolMOS™
Lieferanten-Gerätepaket: PG-TO220-3-1 Mfr: Infineon Technologies
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Verlustleistung (maximal): 50W (Tc)
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Basisproduktnummer: SPP04N

N-Kanal 650 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Durch das Loch PG-TO220-3-1

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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