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IPP03N03LA

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Kontakt

IPP03N03LA

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Fet-Eigenschaft: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100μA Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse: TO-220-3 Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V FET-Typ: N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 4.5V, 10V Paket: Band und Box (TB)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 25 V Vgs (maximal): ± 20V
Produktstatus: Veraltet Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V
Typ der Montage: Durchs Loch Reihe: OptiMOS™
Lieferanten-Gerätepaket: PG-TO220-3 Mfr: Infineon Technologies
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Verlustleistung (maximal): 150W (Tc)
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Basisproduktnummer: IPP03N

N-Kanal 25 V 80A (Tc) 150W (Tc) Durch das Loch PG-TO220-3

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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