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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO251-3
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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Fet-Eigenschaft: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250μA Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse: Führungen des Kurzschluss-TO-251-3, IPak, TO-251AA Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6,8A, 10V FET-Typ: P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 4.5V, 10V Paket: Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 60 V Vgs (maximal): ± 20V
Produktstatus: Veraltet Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Typ der Montage: Durchs Loch Reihe: SIPMOS®
Lieferanten-Gerätepaket: P-TO251-3-1 Mfr: Infineon Technologies
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Verlustleistung (maximal): 42W (TC)
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Basisproduktnummer: SPU09P

P-Kanal 60 V 9,7 A (Tc) 42 W (Tc) durch das Loch P-TO251-3-1

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Ansprechpartner: Miss. Coral

Telefon: +86 15211040646

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