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IPU06N03LAGXK

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Kontakt

IPU06N03LAGXK

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Fet-Eigenschaft: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40μA Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packung / Gehäuse: Führungen des Kurzschluss-TO-251-3, IPak, TO-251AA Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V FET-Typ: N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 4.5V, 10V Paket: Schlauch
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 25 V Vgs (maximal): ± 20V
Produktstatus: Veraltet Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Typ der Montage: Durchs Loch Reihe: OptiMOS™
Lieferanten-Gerätepaket: P-TO251-3-1 Mfr: Infineon Technologies
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Verlustleistung (maximal): 83W (Tc)
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Basisproduktnummer: IPU06N

N-Kanal 25 V 50 A (Tc) 83 W (Tc) Durch das Loch P-TO251-3-1

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Ansprechpartner: Miss. Coral

Telefon: +86 15211040646

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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