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FQD4P25TF

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Großes Bild :  FQD4P25TF

Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
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FQD4P25TF

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Fet-Eigenschaft: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)
Packung / Gehäuse: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V FET-Typ: P-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 10 V Paket: Band und Rolle (TR)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 250 V Vgs (maximal): ±30V
Produktstatus: Veraltet Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Reihe: QFET®
Lieferanten-Gerätepaket: TO-252AA Mfr: Einheitlich
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Verlustleistung (maximal): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Technologie: MOSFET (Metalloxid) Basisproduktnummer: FQD4

P-Kanal 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Oberflächenhalter TO-252AA

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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