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IRLR8113TR

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Kontakt

IRLR8113TR

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4,5 V
Produktstatus: Veraltet Typ der Montage: Oberflächenbefestigung
Paket: Band und Rolle (TR) Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
Reihe: HEXFET® Vgs (maximal): ± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Lieferanten-Gerätepaket: D-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Mfr: Infineon Technologies
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) FET-Typ: N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 4.5V, 10V Verlustleistung (maximal): 89W (Tc)
Packung / Gehäuse: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 30 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Fet-Eigenschaft: -

N-Kanal 30 V 94A (Tc) 89W (Tc) Oberflächenaufbau D-Pak

Größe und Tag:

Transistor-IC,

Transistoren und integrierte Schaltungen,

Transistorische ICS

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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