BTS115ANKSA1

Name: BTS115ANKSA1
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:

Beschreibung:	MOSFET N-CH 50V 15,5A bis 220AB

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Beschreibung

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET	Fet-Eigenschaft:	-
Produktstatus:	Veraltet	Typ der Montage:	Durchs Loch
Vgs(th) (Max) @ Id:	2,5 V bei 1 mA	Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	735 pF @ 25 V
Reihe:	TEMPFET®	Vgs (maximal):	±10V
Paket:	Schlauch	Lieferanten-Gerätepaket:	TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	120 mOhm @ 7,8A, 4,5 V	Mfr:	Infineon Technologies
Betriebstemperatur:	-55 °C bis 150 °C (TJ)	FET-Typ:	N-Kanal
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):	4.5V	Verlustleistung (maximal):	50W (Tc)
Packung / Gehäuse:	TO-220-3	Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	50 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:	15.5A (Tc)	Technologie:	MOSFET (Metalloxid)