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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.

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Beschreibung: IGBT-Module 1200V 100A SOT227

Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.

Beschreibung
Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 100 A
Produktstatus: Veraltet Typ der Montage: Aufbau des Fahrgestells
Paket: Schüttgut Reihe: -
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 1200 V
Lieferanten-Gerätepaket: SOT-227 Mfr: GeneSiC-Halbleiter
Betriebstemperatur: -40 °C ~ 175 °C (TJ) Strom - Sammlergrenze (maximal): 1 mA
IGBT-Typ: Pint Packung / Gehäuse: SOT-227-4
Eingabe: Standards Eintrittskapazität (Cies) @ Vce: 8.55 nF @ 25 V
Ausstattung: Einzigartig NTC-Thermistor: Nein

IGBT-Modul PT Einzel 1200 V 100 A Fahrgestell SOT-227

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

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