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Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten.

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Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten.

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: SI7949DP-T1-GE3 Datenblatt pdf und Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays Produktdetails aus dem Vish

Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten.

Beschreibung
Teilnummer: Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung Hersteller: Vishay/Siliconix
Beschreibung: Alternative Modelle sind erhältlich. Lebenszyklus: Neu von diesem Hersteller
Datenblatt: SI7949DP-T1-GE3 Datenblatt PDF Lieferung: DHL, UPS, FedEx, Einschreiben
Zahlung: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union Weitere Informationen: SI7949DP-T1-GE3 Weitere Informationen
ECAD: Anfordern Sie kostenlose CAD-Modelle Preise (in USD): Ein Dollar.66
Anmerkung: Hersteller: Vishay / Siliconix. Tanssion ist einer der Distributoren. Weite Palette von Anwendungen. Der Berg: Oberflächenbefestigung
Herbstzeit: 30 ns Anstiegszeit: 9 ns
Zeitplan B: 8541290080 Anzahl der Pins: 8
Schwellenspannung: -3 V Anzahl der Elemente: 2
Abschaltverzögerungszeit: 65 ns Maximale Verlustleistung: 1.5 W
Min Operating Temperature: -55 °C Tor zur Quellspannung (Vgs): 20 V
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 60 V Produktkategorie: Diskrete Halbleiter - Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: Siehe auch: Qty: 1827 auf Lager
Anwendungen: Stromversorgung Fabrikautomation und -steuerung Datenspeicherung Gewicht: 506.605978 mg
Verpackung: Digi-Reel® Rds auf max.: 64 mΩ
Fall/Paket: SOIC Machtverlust: 1.5 W
Anzahl der Kanäle: 2 Einschaltverzögerungszeit: 8 ns
Element-Konfiguration: Zweifach Maximale Betriebstemperatur: 150 Grad
Lassen Sie zum Quellwiderstand ab: 64 mΩ Ununterbrochener Abflussstrom (Identifikation): 3.2 A
Lassen Sie zur Quelldurchbruchsspannung ab: -60 V

SI7949DP-T1-GE3 Übersicht\\nSI7949DP-T1-GE3 ist ein Modell, das zur Unterkategorie Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays unter Discrete Semiconductor gehört.Siehe DatenblattWir haben SI7949DP-T1-GE3 hochauflösende Bilder und Datenblätter zur Referenz.Wir werden weiterhin verschiedene Videodateien und 3D-Modelle produzieren, damit die Nutzer unser Produkt intuitiver und umfassender verstehen können. SI7949DP-T1-GE3 wird weit verbreitet in der Stromversorgung, Fabrik-Automatisierung und Steuerung, Datenspeicherung verwendet. Es wird von Vishay / Siliconix hergestellt und von Fans, Tanssion und anderen Distributoren vertrieben.SI7949DP-T1-GE3 kann auf verschiedene Weise erworben werdenSie können direkt auf dieser Website bestellen, oder Sie können uns anrufen oder uns per E-Mail melden.Wir können auch das Inventar an die Peer-Distributoren anpassen, um Ihren Bedürfnissen gerecht zu werdenWenn die Versorgung mit SI7949DP-T1-GE3 unzureichend ist, haben wir auch andere Modelle unter der Kategorie Diskrete Halbleitertransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, um sie zu ersetzen. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansSo können Sie SI7949DP-T1-GE3 von Fans mit Vertrauen bestellen.TNT und EMS oder jeder andere SpediteurWenn Sie mehr über die Fracht wissen möchten, können Sie uns für weitere Details kontaktieren.
73130.pdf

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SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Ansprechpartner: Miss. Coral

Telefon: +86 15211040646

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