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Die in Absatz 1 genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen.

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Die in Absatz 1 genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen.

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Produktdetails: Zahlung und Versand AGB:
Beschreibung: BC807UE6327HTSA1 Datenblatt pdf und Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays Produktdetails aus IR (Inf

Die in Absatz 1 genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen.

Beschreibung
Teilnummer: Die in Absatz 1 genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen. Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Beschreibung: Alternative Modelle sind erhältlich. Lebenszyklus: Neu von diesem Hersteller
Datenblatt: BC807UE6327HTSA1 Datenblatt PDF Lieferung: DHL, UPS, FedEx, Einschreiben
Zahlung: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union Weitere Informationen: BC807UE6327HTSA1 Weitere Informationen
ECAD: Anfordern Sie kostenlose CAD-Modelle Preise (in USD): Null Dollar.08
Anmerkung: Hersteller: IR (Infineon Technologies). Tanssion ist einer der Distributoren. Weite Palette von Anwe Der Berg: Oberflächenbefestigung
Größe: 1 Millimeter Polarität: PNP
Verpackung: Schneiden Sie Band (CT) Fall/Paket: SC
Aktuelles Rating: -500 MA Packungsmenge: 3000
Anzahl der Elemente: 2 Übergangsfrequenz: 200 MHz
Max Collector Current: 500 MA Maximale Betriebstemperatur: 150 Grad
Ausstrahlungsgrundspannung (VEBO): 5 V Kollektorbasisspannung (VCBO): 50 V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung: 45 V Produktkategorie: Diskrete Halbleiter - Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: BC807UE6327HTSA1.pdf Qty: 9630 auf Lager
Anwendungen: Drahtlose Infrastruktur Drahtgebundenes Netzwerk Beleuchtung Breite: 1,6 mm
Länge: 2,9 Millimeter Häufigkeit: 200 MHz
Zeitplan B: 8541210080 Max Frequency: 200 MHz
Anzahl der Pins: 6 Machtverlust: 330 mW
Nennspannung (Gleichspannung): -45 V Maximale Ausfallspannung: 45 V
Maximale Verlustleistung: 330 mW Min Operating Temperature: -65 °C
Ununterbrochener Kollektorstrom: 500 MA Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO): 45 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung: 700mV

BC807UE6327HTSA1 Übersicht\\nBC807UE6327HTSA1 ist ein Modell, das zur Unterkategorie Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays unter Diskreter Halbleiter gehört.Siehe Datenblatt, wie PDF-Dateien Docx-Dokumente usw. Wir haben BC807UE6327HTSA1 hochauflösende Bilder und Datenblätter zur Referenz.Wir werden weiterhin verschiedene Videodateien und 3D-Modelle produzieren, damit die Nutzer unser Produkt intuitiver und umfassender verstehen können. BC807UE6327HTSA1 wird in drahtloser Infrastruktur, Drahtnetzwerken, Beleuchtung weit verbreitet. Es wird von IR (Infineon Technologies) hergestellt und von Fans, Tanssion und anderen Distributoren vertrieben.BC807UE6327HTSA1 kann auf viele Arten erworben werdenSie können direkt auf dieser Website bestellen, oder Sie können uns anrufen oder uns per E-Mail melden.Wir können auch das Inventar an die Peer-Distributoren anpassen, um Ihren Bedürfnissen gerecht zu werdenWenn die Lieferung von BC807UE6327HTSA1 unzureichend ist, haben wir auch andere Modelle unter der Kategorie Discrete Halbleitertransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, um sie zu ersetzen. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. So können Sie BC807UE6327HTSA1 von Fans mit Vertrauen bestellen. Über die Lieferung, können wir Waren an unsere Kunden über eine Vielzahl von Logistik, wie DHL, FedEx, UPS,TNT und EMS oder jeder andere SpediteurWenn Sie mehr über die Fracht wissen möchten, können Sie uns für weitere Details kontaktieren.
Datenblatt PDF

Kontaktdaten
Sensor (HK) Limited

Ansprechpartner: Liu Guo Xiong

Telefon: +8618200982122

Faxen: 86-755-8255222

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