China Frequenzmultiplikatoren

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  Die Prüfungen werden in den folgenden Fällen durchgeführt:

  Produktkategorie:IGBT-Module

  Hersteller::Infineon Technologies

  Beschreibung:IGBT-Module IGBT-Module 1700V 650A

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  Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.

  Konfiguration::Doppelähnlichkeit

  Produktkategorie:IGBT-Module

  Höchstbetriebstemperatur::+ 125 °C

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  Die Genehmigung für die Verwendung von Fahrzeugen, die in einem anderen Mitgliedstaat als dem in Absatz 1 genannten Mitgliedstaat erworben werden, gilt nicht.

  Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::Na 400

  Produktkategorie:IGBT-Module

  Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::45 A

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  FS35R12YT3

  Produktkategorie:IGBT-Module

  Sammler-Emitter Spannung VCEO Max::1200 V

  Packung / Koffer::EASY2

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  BSM200GA120DLCS

  Leckage-Strom aus dem Gate-Emitter::Na 400

  Produktkategorie:IGBT-Module

  Dauerkollektorstrom bei 25 ° C::370 A

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  BKX 53-16 E6327

  Polarität des Transistors::PNP

  Produktkategorie:Bipolar Transistor - BJT

  Montage-Stil::SMD/SMT

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  BCW 66KH B6327

  Polarität des Transistors::NPN

  Produktkategorie:Bipolar Transistor - BJT

  Maximaler Gleichstrom des Kollektors::0,8 A

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  2SC4116SU-Y,LF

  Polarität des Transistors::NPN

  Produktkategorie:Bipolar Transistor - BJT

  Montage-Stil::SMD/SMT

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  2SC4738-Y ((T5L,F,T)

  Polarität des Transistors::NPN

  Produktkategorie:Bipolar Transistor - BJT

  Montage-Stil::SMD/SMT

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  HN1B01F-Y(TE85L,F)

  Polarität des Transistors::PNP

  Produktkategorie:Bipolar Transistor - BJT

  Montage-Stil::SMD/SMT

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  P1553AB60RP

  Ausfallstrom @ VDRM IDRM::5 uA

  Anlaufspannung::8 V

  Produktkategorie:Sidaks

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  A2106UA3RP

  Ausfallstrom @ VDRM IDRM::5 uA

  Anlaufspannung::8 V

  Produktkategorie:Sidaks

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