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Getrennter Halbleiter

China Getrennter Halbleiter

2N7002T-7

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Fet-Eigenschaft:-

Produktstatus:Ausgeschaltet bei Digi-Key
BSS123W-7

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Fet-Eigenschaft:-

Produktstatus:Ausgeschaltet bei Digi-Key
IRLR7833TR

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:50 nC @ 4,5 V

Produktstatus:Veraltet
ZXM41N10FTA

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Fet-Eigenschaft:-

Produktstatus:Veraltet
IRLR8113TR

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:32 nC @ 4,5 V

Produktstatus:Veraltet
IRFR3707Z

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:14 nC bei 4,5 V

Produktstatus:Veraltet
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Fet-Eigenschaft:-

Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 250μA
IPI04N03LA

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Fet-Eigenschaft:-

Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 60μA
IRLR8113

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:32 nC @ 4,5 V

Produktstatus:Veraltet
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Fet-Eigenschaft:-

Vgs(th) (Max) @ Id:3.9V @ 500μA
FQD4P25TF

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Fet-Eigenschaft:-

Vgs(th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
IPU06N03LAGXK

Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

Fet-Eigenschaft:-

Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 40μA

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