China Getrennter Halbleiter

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  Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Fet-Eigenschaft:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 250μA

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  IPP14N03LA

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Fet-Eigenschaft:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA

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  SPP21N10

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Fet-Eigenschaft:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:4V @ 44μA

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  IPP04N03LA

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Fet-Eigenschaft:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 60μA

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  IPP03N03LA

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Fet-Eigenschaft:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 100μA

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  SPA21N50C3XKSA1

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Fet-Eigenschaft:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9V @ 1mA

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  IPP09N03LA

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Fet-Eigenschaft:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 20µA

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  SPP16N50C3HKSA1

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Fet-Eigenschaft:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9V @ 675μA

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  SPA04N50C3XKSA1

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Fet-Eigenschaft:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9V @ 200μA

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  SPP04N60C3HKSA1

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Fet-Eigenschaft:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9V @ 200μA

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  SPP21N50C3HKSA1

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Fet-Eigenschaft:-

  Vgs(th) (Max) @ Id:3.9V @ 1mA

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  BSL211SP

  Kategorie:Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET

  Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:12.4 nC @ 4,5 V

  Produktstatus:Veraltet

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